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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 40A IKW40N120H3
Référence produit : IKW40N120H3
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 119 | 17.93 € | — |
| 120+Meilleur prix | 17.23 € | -4% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 40A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.8V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.2V (typ.) |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (IKW40N120H3):
Transistor IGBT 1200V 40A IKW40N120H3. Le IKW40N120H3 est un transistor IGBT de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les entraînements de moteurs.