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Infineon
Transistor IGBT 1200V 3A IGP03N120H2
Référence produit : IGP03N120H2
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 4.36 € | — |
| 50+Meilleur prix | 3.16 € | -28% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 3A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.2V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V (typ.) |
Description technique du produit (IGP03N120H2):
Transistor IGBT 1200V 3A IGP03N120H2. Transistor IGBT de puissance N-canal, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé.