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Stmicroelectronics
Transistor IGBT 1200V 30A STGW30NC120HD
Référence produit : STGW30NC120HD
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 6.67 € | — |
| 60+Meilleur prix | 6.30 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.3V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.5V à 6.5V |
Description technique du produit (STGW30NC120HD):
Transistor IGBT 1200V 30A STGW30NC120HD. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé.