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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 30A SGP15N120
Référence produit : SGP15N120
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 7.45 € | — |
| 50+Meilleur prix | 7.02 € | -6% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.5V - 6.5V |
Description technique du produit (SGP15N120):
Transistor IGBT 1200V 30A SGP15N120. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.