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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 30A IHW30N120R2
Référence produit : IHW30N120R2
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 9.85 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 1.85V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (IHW30N120R2):
Transistor IGBT 1200V 30A IHW30N120R2. Transistor IGBT de puissance avec diode de roue libre rapide, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible perte de conduction et de commutation.