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Infineon

Transistor IGBT 1200V 25A SGW25N120

Référence produit : SGW25N120
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Vces1200V
Ic25A
Vce(sat)2.0V (typ.)
Vge(th)5.5V (typ.)

Description technique du produit (SGW25N120):

Transistor IGBT 1200V 25A SGW25N120. Le SGW25N120 est un transistor IGBT de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance.