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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25T120
Référence produit : IKW25T120
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 12.92 € | — |
| 60+Meilleur prix | 12.43 € | -4% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 1200V |
| Courant collecteur | 25A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur faible | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur | 4.5V - 6.5V |
Description technique du produit (IKW25T120):
Transistor IGBT 1200V 25A IKW25T120. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant. Il offre une faible perte de conduction et de commutation.