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On Semiconductor
Transistor IGBT 1200V 25A FGA25N120ANTDTU
Référence produit : FGA25N120ANTDTU
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 1 | 9.11 € | — |
| 2 – 3 | 8.24 € | -10% |
| 4 – 5 | 7.58 € | -17% |
| 6 – 9 | 6.97 € | -23% |
| 10+Meilleur prix | 6.48 € | -29% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 1200V |
| Courant collecteur | 25A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état passant | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur | 4.0V - 6.5V |
Description technique du produit (FGA25N120ANTDTU):
Transistor IGBT 1200V 25A FGA25N120ANTDTU. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide.