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Transistor IGBT 1200V 20A IRG4PH40UDPBF
Référence produit : IRG4PH40UDPBF
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 23.39 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 20A (à 100°C) |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.7V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 3.0V - 6.0V |
Description technique du produit (IRG4PH40UDPBF):
Transistor IGBT 1200V 20A IRG4PH40UDPBF. Transistor IGBT de puissance avec diode de récupération ultra-rapide intégrée, conçu pour les applications de commutation à haute fréquence et haute tension.