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Transistor IGBT 1200V 20A IRG4PH40U

Référence produit : IRG4PH40U
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)1200V
Courant collecteur (Ic)20A
Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat))2.7V (typ.)
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))3.0V - 6.0V

Description technique du produit (IRG4PH40U):

Transistor IGBT 1200V 20A IRG4PH40U. L'IRG4PH40U est un transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de type canal N, conçu pour les applications de commutation à haute puissance et haute fréquence. Il offre une faible tension de saturation et une commutation rapide, le rendant idéal pour les convertisseurs de puissance.