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Infineon Technologies
Transistor IGBT 1200V 20A IHW20N120R5
Référence produit : IHW20N120R5
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 59 | 6.53 € | — |
| 60+Meilleur prix | 6.16 € | -6% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur | 1200V |
| Courant collecteur | 20A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur | 1.85V |
| Tension de seuil grille-émetteur | 4.5V |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (IHW20N120R5):
Transistor IGBT 1200V 20A IHW20N120R5. Transistor IGBT de puissance NPT (Non Punch Through) avec diode de roue libre rapide, conçu pour les applications de commutation haute tension et haute puissance.