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Infineon

Transistor IGBT 1200V 20A BUP313

Référence produit : BUP313
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension collecteur-émetteur (Vces)1200V
Courant collecteur (Ic)20A
Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat))2.5V
Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th))5.5V

Description technique du produit (BUP313):

Transistor IGBT 1200V 20A BUP313. Le BUP313 est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé.