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Mitsubishi Electric Semiconductor
Transistor IGBT 1200V 200A CM200DY-24H
Référence produit : CM200DY-24H
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 281.09 € | — |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 200A |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 2.4V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V (typ.) |
Description technique du produit (CM200DY-24H):
Transistor IGBT 1200V 200A CM200DY-24H. Le CM200DY-24H est un module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) de puissance, conçu pour des applications de commutation à haute tension et courant. Il intègre deux IGBTs et des diodes de roue libre dans un boîtier compact, offrant une grande fiabilité et des performances élevées.