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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1200V 15A DGW15N120CTL
Référence produit : DGW15N120CTL
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 2 | 4.72 € | — |
| 3 – 9 | 4.10 € | -13% |
| 10 – 19 | 3.70 € | -22% |
| 20 – 29 | 3.34 € | -29% |
| 30 – 59 | 3.07 € | -35% |
| 60+Meilleur prix | 2.96 € | -37% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 15A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.0V (typ.) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 4.0V - 6.5V |
Description technique du produit (DGW15N120CTL):
Transistor IGBT 1200V 15A DGW15N120CTL. Transistor IGBT de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation à haute tension et courant, offrant une faible tension de saturation et des pertes de commutation réduites.