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Fairchild
Transistor IGBT 1200V 10A HGTG10N120BND
Référence produit : HGTG10N120BND
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 89 | 6.25 € | — |
| 90+Meilleur prix | 5.96 € | -5% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1200V |
| Courant collecteur (Ic) | 10A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.7V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.5V |
Description technique du produit (HGTG10N120BND):
Transistor IGBT 1200V 10A HGTG10N120BND. Transistor IGBT de puissance N-canal conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.