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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1000V 70A YJP70G10A
Référence produit : YJP70G10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 9 | 1.55 € | — |
| 10 – 29 | 1.18 € | -24% |
| 30 – 49 | 1.06 € | -32% |
| 50 – 99 | 0.95 € | -39% |
| 100 – 199 | 0.88 € | -43% |
| 200+Meilleur prix | 0.84 € | -46% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1000V |
| Courant collecteur (Ic) | 70A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0V (max) |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5V (typ) |
| Boîtier | TO-247 |
Description technique du produit (YJP70G10A):
Transistor IGBT 1000V 70A YJP70G10A. Le YJP70G10A est un transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant élevé. Il combine les avantages d'une faible perte de conduction des transistors bipolaires avec la capacité de commutation rapide des MOSFET, offrant une excellente efficacité et fiabilité.