En stock
Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1000V 30A YJB30GP10A
Référence produit : YJB30GP10A
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 1.57 € | — |
| 5 – 19 | 1.26 € | -20% |
| 20 – 49 | 1.14 € | -27% |
| 50 – 99 | 1.04 € | -34% |
| 100 – 299 | 0.98 € | -38% |
| 300 – 799 | 0.95 € | -39% |
| 800+Meilleur prix | 0.95 € | -39% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1000V |
| Courant collecteur (Ic) | 30A |
| Tension collecteur-émetteur à saturation (Vce(sat)) | 2.2V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5.0V |
Description technique du produit (YJB30GP10A):
Transistor IGBT 1000V 30A YJB30GP10A. Transistor IGBT de puissance conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant.