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Yangjie Electronic Technology
Transistor IGBT 1000V 130A YJP130G10B
Référence produit : YJP130G10B
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 4 | 2.30 € | — |
| 5 – 19 | 1.91 € | -17% |
| 20 – 29 | 1.73 € | -25% |
| 30 – 49 | 1.57 € | -32% |
| 50 – 99 | 1.45 € | -37% |
| 100+Meilleur prix | 1.42 € | -38% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension collecteur-émetteur (Vces) | 1000V |
| Courant collecteur (Ic) | 130A |
| Tension collecteur-émetteur à l'état saturé (Vce(sat)) | 2.0V |
| Tension de seuil grille-émetteur (Vge(th)) | 5V |
Description technique du produit (YJP130G10B):
Transistor IGBT 1000V 130A YJP130G10B. Transistor IGBT de puissance, conçu pour les applications de commutation à haute tension et courant, offrant une faible perte de conduction et de commutation.