Transistor FQU11P06

Transistor FQU11P06. Transistor. C (in): 420pF. C (out): 195pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 83 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 37.6A. Id (T=100°C): 5.95A. Id (T=25°C): 9.4A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 38W. Résistance passante Rds On: 0.15 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 6.5 ns. Technologie: DMOS POWER-MOSFET. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: QFET, Low gate charge (typ--13ns). Spec info: Low Crss (typical 45pF), Fast switching. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.