Transistor FQT1N60CTF

Transistor FQT1N60CTF. Transistor. C (in): 130pF. C (out): 19pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: FQT1N60C. Dissipation de puissance maxi: 2.1W. Résistance passante Rds On: 9.3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 13 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: SOT-223 ( TO-226 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-223. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 4. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.