Transistor FQPF85N06

Transistor FQPF85N06. Transistor. C (in): 3170pF. C (out): 1150pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 212A. Id (T=100°C): 37.5A. Id (T=25°C): 53A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 62W. Résistance passante Rds On: 0.008 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 170 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: DMOS, QFET MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 17nC, faible Crss 5.6pF. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.