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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor FQPF19N20

Transistor FQPF19N20
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1 - 4 2.37€ 2.84€
5 - 9 2.25€ 2.70€
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Transistor FQPF19N20. Transistor. C (in): 1220pF. C (out): 220pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 140 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 48A. Id (T=100°C): 7.5A. Id (T=25°C): 11.8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.12 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.

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FQPF19N20C

FQPF19N20C

Transistor. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de trans...
FQPF19N20C
Transistor. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
FQPF19N20C
Transistor. C (in): 830pF. C (out): 195pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 208 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 76A. Id (T=100°C): 12.1A. Id (T=25°C): 19A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 43W. Résistance passante Rds On: 0.14 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 135 ns. Td(on): 15 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4 v. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Technologie: transistor MOSFET à canal N (DMOS, QFET). Protection drain-source: oui. Protection G-S: non
Lot de 1
2.93€ TTC
(2.44€ HT)
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