Transistor FQP33N10

Transistor FQP33N10. Transistor. C (in): 1150pF. C (out): 320pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 80 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 132A. Id (T=100°C): 23A. Id (T=25°C): 33A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Résistance passante Rds On: 0.04 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 127W. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.