Transistor FQD7N10L

Transistor FQD7N10L. Transistor. C (in): 220pF. C (out): 55pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 70 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 5.8A. Id (T=25°C): 23.2A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: FQD7N10L. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.258 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 17 ns. Td(on): 9 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 100V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 2. Id (T=100°C): 3.67A. Fonction: Faible charge de grille. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.