Transistor FQB27P06TM

Transistor FQB27P06TM. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 510pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 105 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 102A. Id (T=100°C): 19.1A. Id (T=25°C): 27A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.055 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: D2PAK ( TO-263 ). Boîtier (selon fiche technique): D2PAK ( TO-263 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 2. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.