Transistor FQAF11N90C

Transistor FQAF11N90C. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: ITO-3P. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQAF11N90C. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 7.2A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.75 Ohms @ 3.6A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 130 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 270 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3290pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 120W. Dissipation de puissance maxi: 120W. Résistance passante Rds On: 0.91 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 130 ns. Td(on): 60 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Boîtier (norme JEDEC): 30. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.