Transistor FQA62N25C

Transistor FQA62N25C. Transistor. C (in): 4830pF. C (out): 945pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 340 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 248A. Id (T=100°C): 39A. Id (T=25°C): 62A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 298W. Résistance passante Rds On: 0.029 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 245 ns. Td(on): 75 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille (typiquement 44nC). Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 05:25.