Transistor FQA11N90_F109

Transistor FQA11N90_F109. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-3PN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: FQA 11N90. Tension drain-source Uds [V]: 900V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 11.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.96 Ohms @ 5.7A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 140 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 340 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 300W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 07:25.