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ON Semiconductor
Transistor FET canal P -30V -0.05A MMBFJ177
Référence produit : MMBFJ177
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 199 | 0.40 € | — |
| 200+Meilleur prix | 0.36 € | -10% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source Vds | -30V |
| Courant de drain Id | -50mA |
| Tension de seuil Vgs(th) | -3V (typ.) |
| Résistance à l'état passant Rds(on) | 500 Ohm (typ.) |
| Tension grille-source Vgs | -30V |
| Charge de grille Qg | Non applicable |
Description technique du produit (MMBFJ177):
Transistor FET canal P -30V -0.05A MMBFJ177. Transistor JFET à canal P de petite puissance, conçu pour les applications d'amplification à faible bruit et de commutation.