En stock
Onsemi (fairchild)
Transistor FET canal P -25V -0.05A MMBFJ177LT1G
Référence produit : MMBFJ177LT1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.33 € | — |
| 100+Meilleur prix | 0.78 € | -41% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -25 V |
| Courant de drain continu | -50 mA |
| Tension de seuil (Vgs(off)) | 0.5 V à 4.0 V |
| Résistance à l'état passant (rDS(on)) | typ. 150 Ohm |
| Courant de drain à tension de grille nulle (Idss) | -0.5 mA à -5.0 mA |
Description technique du produit (MMBFJ177LT1G):
Transistor FET canal P -25V -0.05A MMBFJ177LT1G. Le MMBFJ177LT1G est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) à canal P, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à usage général. Il offre une haute impédance d'entrée et est encapsulé dans un boîtier SOT-23 compact.