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ON Semiconductor

Transistor FET canal P -25V -0.01A MMBFJ175

Référence produit : MMBFJ175
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source-25V
Courant de drain continu-10mA
Tension de seuil grille-source-0.5V à -6V

Description technique du produit (MMBFJ175):

Transistor FET canal P -25V -0.01A MMBFJ175. Le MMBFJ175 est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) à canal P, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à usage général.