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Philips Semiconductors

Transistor FET Canal N 30V 0.025A BF245B

Référence produit : BF245B
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source max.30V
Courant de drain max.25mA
Tension de seuil Vgs(off)-2.5V à -6.0V
Courant de drain saturé (Idss)6.0mA à 15.0mA
BoîtierTO-92

Description technique du produit (BF245B):

Transistor FET Canal N 30V 0.025A BF245B. Transistor JFET à canal N, conçu pour les applications d'amplification à faible bruit et de commutation.