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Toshiba
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 3SK293-TE85L-F
Référence produit : 3SK293-TE85L-F
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.57 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source | 30V |
| Tension grille-source | ±20V |
| Courant de drain | 10mA |
| Résistance à l'état passant | 100 Ohm |
| Tension de seuil | -3.0V |
| Charge de grille | 1 pC |
Description technique du produit (3SK293-TE85L-F):
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 3SK293-TE85L-F. Transistor JFET à canal N, conçu pour les applications d'amplification à faible bruit et haute fréquence. Il offre une excellente performance en termes de gain et de bruit, idéal pour les étages d'entrée sensibles.