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Sanyo

Transistor FET Canal N 30V 0.01A 3LN01SS

Référence produit : 3LN01SS
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source max30V
Courant de drain max10mA
Tension de seuil (Vgs(off))-0.3V à -1.5V
BoîtierSOT-23

Description technique du produit (3LN01SS):

Transistor FET Canal N 30V 0.01A 3LN01SS. Transistor JFET à canal N, conçu pour les applications de commutation et d'amplification à faible bruit. Il offre une haute impédance d'entrée et une faible capacité.