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Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2SK809

Référence produit : 2SK809
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension drain-source (Vds)30V
Tension grille-source (Vgs)±20V
Courant de drain (Id)10mA
Résistance à l'état passant (Rds(on))100 Ohm
Tension de seuil (Vgs(th))-3V
Charge de grille (Qg)5 pC

Description technique du produit (2SK809):

Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2SK809. Transistor JFET à canal N, conçu pour des applications d'amplification à faible bruit et de commutation générale.