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Toshiba
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2SK793
Référence produit : 2SK793
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 4.93 € | — |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 30V |
| Tension grille-source (Vgs) | ±20V |
| Courant de drain (Id) | 10mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | Typ. 200 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -0.2V à -1.5V |
| Charge de grille (Qg) | Non applicable |
Description technique du produit (2SK793):
Transistor FET Canal N 30V 0.01A 2SK793. Transistor JFET à canal N conçu pour des applications d'amplification à faible bruit et de commutation générale. Il offre une haute impédance d'entrée et une faible capacité.