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Transistor FET Canal N 25V 0.03A MMBFJ310LT1G
Référence produit : MMBFJ310LT1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 0.60 € | — |
| 100 – 499 | 0.42 € | -30% |
| 500 – 999 | 0.31 € | -48% |
| 1000+Meilleur prix | 0.30 € | -50% |
Caractéristiques techniques
6 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 25V |
| Tension gate-source (Vgs) | -25V |
| Courant de drain (Id) | 30mA |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 60 Ohm (max, à Vgs=0V) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -0.5V à -6.0V |
| Charge de grille (Qg) | Non spécifié |
Description technique du produit (MMBFJ310LT1G):
Transistor FET Canal N 25V 0.03A MMBFJ310LT1G. Transistor JFET canal N conçu pour les applications d'amplification RF et de commutation générale. Il offre un faible bruit et une haute transconductance.