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Transistor FET Canal N 25V 0.02A BF254

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Référence produit : BF254
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Caractéristiques techniques

6 paramètres
Tension drain-source (Vds)25V
Tension grille-source (Vgs)-25V
Courant de drain (Id)20mA
Résistance à l'état passant (Rds(on))200-500 Ohm (typ. à Vgs=0V)
Tension de seuil grille-source (Vgs(th))-0.5V à -6V
Charge de grille (Qg)Non applicable

Description technique du produit (BF254):

Transistor FET Canal N 25V 0.02A BF254. Transistor à effet de champ à jonction (JFET) à canal N, conçu pour les applications d'amplification et de commutation à usage général. Il offre une impédance d'entrée élevée et de faibles caractéristiques de bruit.

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