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ON Semiconductor
Transistor FET Canal N 25V 0.01A BS107ARL1G
Référence produit : BS107ARL1G
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.44 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.30 € | -10% |
Caractéristiques techniques
3 paramètres| Tension drain-source (Vds) max. | 25V |
| Courant de drain (Id) max. | 10mA |
| Tension de seuil (Vgs(th)) typ. | -0.5V à -6V |
Description technique du produit (BS107ARL1G):
Transistor FET Canal N 25V 0.01A BS107ARL1G. Transistor à effet de champ à jonction (JFET) de type N-canal, conçu pour des applications de commutation et d'amplification à faible bruit. Il offre une haute impédance d'entrée et est adapté aux circuits analogiques.