En stock
Philips Semiconductors
Transistor FET Canal N 25V 0.01A BFW30
Référence produit : BFW30
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 49 | 1.49 € | — |
| 50+Meilleur prix | 1.38 € | -7% |
Caractéristiques techniques
4 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 25V |
| Tension grille-source (Vgs) | -25V |
| Courant de drain (Id) | 10mA |
| Tension de seuil grille-source (Vgs(th)) | -0.5V à -6V |
Description technique du produit (BFW30):
Transistor FET Canal N 25V 0.01A BFW30. Le BFW30 est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) de type canal N, conçu pour des applications d'amplification à faible bruit et de commutation à haute impédance. Il offre d'excellentes performances en termes de gain et de faible capacité.