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Philips Semiconductors

Transistor FET Canal N 25V 0.01A BF506

Référence produit : BF506
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Caractéristiques techniques

4 paramètres
Tension drain-source maximale (Vds)25V
Courant de drain continu (Id)10mA
Tension de pincement (Vgs(off))-0.5V à -8V
Courant de drain saturé (Idss)2mA à 10mA

Description technique du produit (BF506):

Transistor FET Canal N 25V 0.01A BF506. Le BF506 est un transistor à effet de champ à jonction (JFET) de type canal N, conçu pour des applications d'amplification et de commutation à faible bruit. Il offre une haute impédance d'entrée et est adapté aux circuits de préamplification et de détection.