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Transistor FET Canal N 25V 0.01A BF225

Référence produit : BF225
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Caractéristiques techniques

3 paramètres
Tension drain-source (Vds) max25V
Courant de drain (Id) max10mA
Tension de seuil grille-source (Vgs(th))-0.5V à -8V

Description technique du produit (BF225):

Transistor FET Canal N 25V 0.01A BF225. Transistor JFET à canal N conçu pour les applications de commutation et d'amplification à faible bruit.