Transistor ESM3030DV

Transistor ESM3030DV. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Module transistor NPN Darlington de puissance. Gain hFE maxi: 300. Gain hFE mini: 300. Courant de collecteur: 100A. Ic(puls): 150A. Remarque: Vissé. Nombre de connexions: 4. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 225W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Boîtier: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Boîtier (selon fiche technique): ISOTOP ( SOT-227 ). Type de transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 7V. Spec info: Single Dual Emitter. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.