Transistor CSD17313Q2T

Transistor CSD17313Q2T. Transistor. C (in): 260pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 57A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 1uA. Nombre de connexions: 6. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 17W. Résistance passante Rds On: 0.024...0.042 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 4.2 ns. Td(on): 2.8 ns. Technologie: N-Channel NexFET™ Power MOSFET. Boîtier: WSON6. Boîtier (selon fiche technique): boîtier plastique 2mm × 2mm. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.8V. Vgs(th) min.: 0.9V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 18/01/2025, 02:25.