Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -4.9A - TSM4953DCSRLG

Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -4.9A - TSM4953DCSRLG. Transistor canal P, soudure sur circuit imprimé (CMS), SO8, -30V, -4.9A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO8. Tension drain-source Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 8. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -1.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 75 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 745pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 2.5W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur Taiwan Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 27/06/2025, 17:25.