Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.82€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.92€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.90€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.89€ |
250 - 341 | 0.70€ | 0.84€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 0.91€ | 1.09€ |
5 - 9 | 0.86€ | 1.03€ |
10 - 24 | 0.82€ | 0.98€ |
25 - 49 | 0.77€ | 0.92€ |
50 - 99 | 0.75€ | 0.90€ |
100 - 249 | 0.74€ | 0.89€ |
250 - 341 | 0.70€ | 0.84€ |
Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v - AO4427. Transistor canal P, 12.5A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. Id (T=25°C): 12.5A. Idss (maxi): 5uA. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 2330pF. C (out): 480pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 28 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Commutation ou applications PWM. Id(imp): 60A. Id (T=100°C): 10.5A. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3W. Résistance passante Rds On: 0.0094 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 49.5 ns. Td(on): 12.8 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect Transistor'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1.7V. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 23:25.
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