Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 1.14€ | 1.37€ |
5 - 9 | 1.09€ | 1.31€ |
10 - 24 | 1.05€ | 1.26€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.24€ |
50 - 99 | 1.01€ | 1.21€ |
100 - 249 | 0.97€ | 1.16€ |
250 - 455 | 0.94€ | 1.13€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.14€ | 1.37€ |
5 - 9 | 1.09€ | 1.31€ |
10 - 24 | 1.05€ | 1.26€ |
25 - 49 | 1.03€ | 1.24€ |
50 - 99 | 1.01€ | 1.21€ |
100 - 249 | 0.97€ | 1.16€ |
250 - 455 | 0.94€ | 1.13€ |
Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V - SPD09N05. Transistor canal N, 6.5A, 9.2A, 100uA, 0.093 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 55V. Id (T=100°C): 6.5A. Id (T=25°C): 9.2A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.093 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 55V. C (in): 215pF. C (out): 75pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Mode d'amélioration dv/dt. Id(imp): 37A. Idss (min): 0.1uA. Marquage sur le boîtier: SPD09N05. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 24W. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 30 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: SIPMOS Power-Transistor. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 18:25.
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