Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A - NTD20N06LT4G

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A - NTD20N06LT4G. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé (CMS), D-PAK, TO-252, 60V, 20A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: D-PAK. Boîtier (norme JEDEC): TO-252. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 20A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N06LG. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.048 Ohms @ 10A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 2V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 50 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 990pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 60W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Onsemi. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 09:25.