Transistor canal N IXFA270N06T3, TO263. Boîtier: TO263. : 'enhanced'. Charge: 200nC. Courant de drain: 270A. Montage/installation: SMD. Polarité: unipolaire. Puissance: 480W. Technologie: HiPerFET™, TrenchT3™. Temps de réaction: 47ns. Tension drain - source: 60V. Tension grille-source: ±20V. Type de conditionnement: tubus. Type de transistor: N-MOSFET. Produit d'origine constructeur: IXYS. Quantité en stock actualisée le 07/11/2025, 22:43