Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, HD-1, 200V, 0.8A - IRFD220PBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, HD-1, 200V, 0.8A - IRFD220PBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, HD-1, 200V, 0.8A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: HD-1. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.8A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Marquage du fabricant: IRFD220PBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 0.4A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 7.2 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 19 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 260pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 30/07/2025, 09:25.